Справочник MOSFET. FDMS2506SDC

 

FDMS2506SDC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDMS2506SDC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 66 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
   Тип корпуса: POWER56
 

 Аналог (замена) для FDMS2506SDC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDMS2506SDC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:420K  fairchild semi
 fdms2506sdc.pdf pdf_icon

FDMS2506SDC

July 2010FDMS2506SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.45 m at VGS = 10 V, ID = 30 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.1 m

 7.1. Size:317K  fairchild semi
 fdms2502sdc.pdf pdf_icon

FDMS2506SDC

July 2010FDMS2502SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.2 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.2 m at VGS = 10 V, ID = 35 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.7 m at

 7.2. Size:298K  fairchild semi
 fdms2504sdc.pdf pdf_icon

FDMS2506SDC

July 2010FDMS2504SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.25 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.25 m at VGS = 10 V, ID = 32 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.75 m

 7.3. Size:302K  fairchild semi
 fdms2508sdc.pdf pdf_icon

FDMS2506SDC

July 2010FDMS2508SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.95 m at VGS = 10 V, ID = 28 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.85 m

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: PHP69N03LT | BLF6G27-10

 

 
Back to Top

 


 
.