FDMS2506SDC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDMS2506SDC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0015 Ohm
Тип корпуса: POWER56
Аналог (замена) для FDMS2506SDC
FDMS2506SDC Datasheet (PDF)
fdms2506sdc.pdf
July 2010FDMS2506SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.45 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.45 m at VGS = 10 V, ID = 30 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.1 m
fdms2502sdc.pdf
July 2010FDMS2502SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.2 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.2 m at VGS = 10 V, ID = 35 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.7 m at
fdms2504sdc.pdf
July 2010FDMS2504SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.25 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.25 m at VGS = 10 V, ID = 32 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 1.75 m
fdms2508sdc.pdf
July 2010FDMS2508SDCN-Channel Dual CoolTM PowerTrench SyncFETTM 25 V, 49 A, 1.95 mFeatures General Description Dual CoolTM Top Side Cooling PQFN package This N-Channel MOSFET is produced using FairchildSemiconductors advanced PowerTrench process. Max rDS(on) = 1.95 m at VGS = 10 V, ID = 28 AAdvancements in both silicon and Dual CoolTM package Max rDS(on) = 2.85 m
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918