Справочник MOSFET. CMD5941

 

CMD5941 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMD5941
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CMD5941

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMD5941 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1082K  1
 cmd5941 cmu5941.pdf pdf_icon

CMD5941

CMD5941/CMU5941P-Channel Silicon MOSFETGeneral Description Product SummaryThe 5941 uses advanced trench BVDSS RDSON ID technology and design to provide -100V 135m -25Aexcellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide Applications variety of applications.Inverters Motor driveDC / DC converterFeatures P-ChannelTO-252/251 Pin ConfigurationDLow ON-

 9.1. Size:896K  cn vbsemi
 cmd5950.pdf pdf_icon

CMD5941

CMD5950www.VBsemi.twP-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) - 100DefinitionRDS(on) () at VGS = - 10 V 0.033 TrenchFET Power MOSFETRDS(on) () at VGS = - 4.5 V 0.036 Package with Low Thermal ResistanceID (A) - 40 100 % Rg and UIS TestedConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2

Другие MOSFET... HY3007P , HY3007M , HY3007B , HY3007PS , HY3007PM , NCE80H11 , S80N10R , S80N10S , TK10A60D , CMU5941 , MMBF4860 , N6006NZ , STP180N4F6 , TK10P50W , LCS50P03 , HCCW120R040H1 , HCCZ120R040H1 .

History: SSF65R600S3 | SSW65R190S2 | KIA6N70H-251 | SI7113ADN | RU3030M2 | RU75N08S | PTB9506E

 

 
Back to Top

 


 
.