STP180N4F6 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STP180N4F6
Маркировка: 180N4F6
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 130 nC
Время нарастания (tr): 150 ns
Выходная емкость (Cd): 745 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0027 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP180N4F6
STP180N4F6 Datasheet (PDF)
stp180n4f6.pdf
STP180N4F6 N-channel 40 V, 2.1 m typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET in a TO-220 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTP180N4F6 40 V 2.7 m 120 A 190 W Very low on-resistance Very low gate charge High avalanche ruggedness Low gate drive power loss Applications Switching applications Power
stp180n10f3.pdf
STP180N10F3N-channel 100 V, 4.5 m, 120 A STripFETIII Power MOSFETTO-220FeaturesRDS(on) TABOrder codes VDSS IDmax.STP180N10F3 100 V 5.1 m 120 A Ultra low on-resistance32 100% avalanche tested1TO-220Applications High current switching applicationsDescriptionThis device is an N-channel enhancement mode Figure 1. Internal schematic diagramPo
stb180n55f3 stp180n55f3.pdf
STB180N55F3STP180N55F3N-channel 55V - 3.2m - 120A - D2PAK/TO-220STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTB180N55F3 55V 3.5m 120A(1) 330WSTP180N55F3 55V 3.8m 120A(1) 330W1. Value limited by wire bonding 33121 Ultra low on-resistance 100% avalanche tested TO-220 D2PAKDescriptionThis n-channel enhancement mode Power MOSFET is the l
stp180ns04zc.pdf
STP180NS04ZCN-channel 40 V clamped 3.6 m typ., 120 A fully protected SAFeFET Power MOSFET in a TO-220 packageDatasheet - production dataFeatures TAB Order code VDS RDS(on) max IDSTP180NS04ZC 40 V clamped 4.2 m 120 A Low capacitance and gate charge 100% avalanche tested32 175 C maximum junction temperature1TO-220Applications Switching and line
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: SFP055N95C3
