VS3620DP2-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3620DP2-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6DUAL

Аналог (замена) для VS3620DP2-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3620DP2-G даташит

 ..1. Size:1033K  cn vgsemi
 vs3620dp2-g.pdf pdf_icon

VS3620DP2-G

VS3620DP2-G 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 4.6 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.6 7.6 m Very low on-resistance I D(Wire bond Limited) 45 45 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Dual Opt2 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimiz

 6.1. Size:983K  cn vgsemi
 vs3620dp-g.pdf pdf_icon

VS3620DP2-G

VS3620DP-G 30V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 4.9 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.3 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 56 A Very low on-resistance I D(Package Limited) 36 A VitoMOS Technology PDFN5x6 Dual Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Par

 7.1. Size:1036K  cn vgsemi
 vs3620de-g.pdf pdf_icon

VS3620DP2-G

VS3620DE-G 30V/18A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 37 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 18 A 100% Avalanche Tested PDFN3333 Dual Part ID Package Type Marking Packing VS3620DE-G PDFN3333 Dual 36

 8.1. Size:2373K  cn vanguard
 vs3620gpmc.pdf pdf_icon

VS3620DP2-G

VS3620GPMC 30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche test PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3614GE, VS3614GP, VS3615GA, VS3615GE, VS3618AD, VS3618AH, VS3618AP, VS3618AS, 7N60, VS3620GA, VS3620GEMC, VS3622AA, VS3622AA2, VS3622AA4, VS3622AD, VS3622AP, VS3622AS