Справочник MOSFET. VS3628GA

 

VS3628GA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS3628GA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L
 

 Аналог (замена) для VS3628GA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3628GA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1116K  cn vgsemi
vs3628ga.pdfpdf_icon

VS3628GA

VS3628GA30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.4 mR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesDFN2x2x0.75-6LPart ID Package Type Marking PackingVS3628GA DFN2x2x0.75-6L 3628 3000PCS/ReelMaximum ratings, at TA =25C,

 7.1. Size:1117K  cn vgsemi
vs3628gp.pdfpdf_icon

VS3628GA

VS3628GP30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 26 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3628GP PDFN5x6 3628GP 30

 7.2. Size:839K  cn vgsemi
vs3628ge.pdfpdf_icon

VS3628GA

VS3628GE30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 45 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333Part ID Package Type Marking PackingVS3628GE PDFN3333 3628G

 8.1. Size:1353K  cn vgsemi
vs3628db.pdfpdf_icon

VS3628GA

VS3628DB30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 9 m High Current CapabilityI D 20 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate ChargeDFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3628DB DFN3x3 3

Другие MOSFET... VS3622AP , VS3622AS , VS3622DB , VS3625DB , VS3625DP2-G , VS3625GEMC , VS3625GPMC , VS3628DB , 5N50 , VS3628GE , VS3628GP , VS3633GA , VS3633GE , VS3638GA , VS3638GE , VS3640AA , VS3640AC .

 

 
Back to Top

 


 
.