VS3628GA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3628GA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 295 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L

Аналог (замена) для VS3628GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3628GA даташит

 ..1. Size:1116K  cn vgsemi
 vs3628ga.pdf pdf_icon

VS3628GA

VS3628GA 30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.4 m R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3628GA DFN2x2x0.75-6L 3628 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C,

 7.1. Size:1117K  cn vgsemi
 vs3628gp.pdf pdf_icon

VS3628GA

VS3628GP 30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 9.1 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 13 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 26 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3628GP PDFN5x6 3628GP 30

 7.2. Size:839K  cn vgsemi
 vs3628ge.pdf pdf_icon

VS3628GA

VS3628GE 30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 13 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 45 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3628GE PDFN3333 3628G

 8.1. Size:1353K  cn vgsemi
 vs3628db.pdf pdf_icon

VS3628GA

VS3628DB 30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 14 6 m Dual Asymmetric N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 23 9 m High Current Capability I D 20 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Low Gate Charge DFN3x3 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3628DB DFN3x3 3

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3622AP, VS3622AS, VS3622DB, VS3625DB, VS3625DP2-G, VS3625GEMC, VS3625GPMC, VS3628DB, IRFP064N, VS3628GE, VS3628GP, VS3633GA, VS3633GE, VS3638GA, VS3638GE, VS3640AA, VS3640AC