VS3638GA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3638GA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2X0.75-6L

Аналог (замена) для VS3638GA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3638GA даташит

 ..1. Size:1074K  cn vgsemi
 vs3638ga.pdf pdf_icon

VS3638GA

VS3638GA 30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Low Gate Charge DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3638GA DFN2x2x0.75-6L 3638 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Ratin

 7.1. Size:1664K  cn vgsemi
 vs3638ge.pdf pdf_icon

VS3638GA

VS3638GE 30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 40 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3638GE PDFN3333 3638GE

 8.1. Size:1065K  cn vgsemi
 vs3638de-g.pdf pdf_icon

VS3638GA

VS3638DE-G 30V/15A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 12 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 27 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 15 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Pac

 9.1. Size:836K  cn vgsemi
 vs3633ge.pdf pdf_icon

VS3638GA

VS3633GE 30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 32 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3633GE PDFN3333 3633G

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... VS3625GEMC, VS3625GPMC, VS3628DB, VS3628GA, VS3628GE, VS3628GP, VS3633GA, VS3633GE, IRF740, VS3638GE, VS3640AA, VS3640AC, VS3640AD, VS3640AE, VS3640AS, VS3640AT, VS3640BC