VS3820GA2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3820GA2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 540 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: DFN2X2X0.45-6L

Аналог (замена) для VS3820GA2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3820GA2 даташит

 ..1. Size:1004K  cn vgsemi
 vs3820ga2.pdf pdf_icon

VS3820GA2

VS3820GA2 30V/13A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.4 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.2 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 13 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiency DFN2x2x0.45-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3820GA2 DFN2x2x0.45-6L 3820GA 3000PCS/Reel Maximum ra

 9.1. Size:1005K  cn vgsemi
 vs3825gpmc.pdf pdf_icon

VS3820GA2

VS3825GPMC 30V/30A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS Technology I D(Wire bond limited) 30 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN5x6 Part ID Package Type Marking Packing VS3825GPMC PDFN5x6 3825GP 3000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwise

Другие IGBT... VS3662DB, VS3698AD, VS3698AE, VS3698AP, VS3698AT, VS3803GPMT, VS3817GA, VS3817GPMT, 7N65, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, VS4401AMH, VS4401ATH, VS4603DM6