VS4603DM6. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4603DM6

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 441 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 175 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 115 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm

Тип корпуса: TO263-6L

Аналог (замена) для VS4603DM6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4603DM6 даташит

 ..1. Size:889K  cn vgsemi
vs4603dm6.pdfpdf_icon

VS4603DM6

VS4603DM6 40V/175A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.7 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 2.1 m Low RDS(on) to minimize conduction losses I D(Wire bond Limited) 175 A Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested TO-263-6L Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching l

 8.1. Size:997K  cn vgsemi
vs4603gpmt.pdfpdf_icon

VS4603DM6

VS4603GPMT 40V/100A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.3 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 1.8 m Very low on-resistance I D(Silicon Limited) 160 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 100 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking P

 8.2. Size:1188K  cn vgsemi
vs4603gpht.pdfpdf_icon

VS4603DM6

VS4603GPHT 40V/100A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 1.3 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 160 A Very low on-resistance I D(Package Limited) 100 A VitoMOS Technology Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packing VS4603GPHT PDFN5x6 4603GP

 9.1. Size:735K  cn vanguard
vs4602ap.pdfpdf_icon

VS4603DM6

VS4602AP 40V/220A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 1.6 m N-Channel 10V Logic Level Control I D 220 A Enhancement mode Advanced Package for Low RDS(on) and High Efficiency 100% Avalanche test PDFN5x6 Applicable to DC/DC and AC/DC converters Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part ID

Другие IGBT... VS3820GA2, VS3825GPMC, VS40200AD, VS40200AP, VS40200ATD, VS4401AKH, VS4401AMH, VS4401ATH, IRF9540N, VS4603GPHT, VS4603GPMT, VS4604AD, VS4604AT, VS4604ATD, VS4604DM, VS4604DT, VS4610AB