VS4622DE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS4622DE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: PDFN3333

Аналог (замена) для VS4622DE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4622DE даташит

 ..1. Size:879K  cn vgsemi
vs4622de.pdfpdf_icon

VS4622DE

VS4622DE 40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 15 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 19 m Enhancement mode I D(Wire bond Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Part ID Package Type Marking Packing VS4622DE PDFN3333 Dual 4622DE 5000pcs/Reel Maximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

 9.1. Size:955K  cn vgsemi
vs4620de-g.pdfpdf_icon

VS4622DE

VS4620DE-G 40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Pa

 9.2. Size:894K  cn vgsemi
vs4620gd.pdfpdf_icon

VS4622DE

VS4620GD 40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS Technolog I D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS4620GD TO-252 4620

 9.3. Size:962K  cn vgsemi
vs4620dp-g.pdfpdf_icon

VS4622DE

VS4620DP-G 40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packi

Другие IGBT... VS4618AS, VS4618AS-AP, VS4618DE, VS4620GD, VS4620GEMC, VS4620GI, VS4620GP, VS4620GS, 4N60, VS4640AC, VS4646ACM, VS4698AP, VS4698DP, VS4802GKM, VS4802GMM, VS4802GPHT, VS4802GPMT