Справочник MOSFET. VS4622DE

 

VS4622DE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4622DE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 22 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3333
 

 Аналог (замена) для VS4622DE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4622DE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:879K  cn vgsemi
 vs4622de.pdf pdf_icon

VS4622DE

VS4622DE40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 15 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 19 m Enhancement modeI D(Wire bond Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVS4622DE PDFN3333 Dual 4622DE 5000pcs/ReelMaximum ratings, at T A=25 C, unless otherwis

 9.1. Size:955K  cn vgsemi
 vs4620de-g.pdf pdf_icon

VS4622DE

VS4620DE-G40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPa

 9.2. Size:894K  cn vgsemi
 vs4620gd.pdf pdf_icon

VS4622DE

VS4620GD40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS4620GD TO-252 4620

 9.3. Size:962K  cn vgsemi
 vs4620dp-g.pdf pdf_icon

VS4622DE

VS4620DP-G40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... VS4618AS , VS4618AS-AP , VS4618DE , VS4620GD , VS4620GEMC , VS4620GI , VS4620GP , VS4620GS , 10N65 , VS4640AC , VS4646ACM , VS4698AP , VS4698DP , VS4802GKM , VS4802GMM , VS4802GPHT , VS4802GPMT .

History: AP65SL190AR

 

 
Back to Top

 


 
.