Справочник MOSFET. VSP002N03MS-G

 

VSP002N03MS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP002N03MS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1155 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0029 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP002N03MS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1019K  cn vgsemi
vsp002n03ms-g.pdfpdf_icon

VSP002N03MS-G

VSP002N03MS-G30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.5 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 150 A VitoMOS TechnologyPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP002N03MS-G PDFN5x6 002N03M 30

 3.1. Size:1023K  cn vgsemi
vsp002n03ms.pdfpdf_icon

VSP002N03MS-G

VSP002N03MS30V/100A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 0.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 1.1 m Advanced Package for Low RDS(on) and High EfficiencyI D(Silicon Limited) 365 A High Current CapabilityI D(Package Limited) 100 A Enable Better Thermal DissipationPDFN5x6 100% Avalanche TestPart ID Package

 3.2. Size:1131K  cn vgsemi
vsp002n03mst-g.pdfpdf_icon

VSP002N03MS-G

VSP002N03MST-G30V/150A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.0 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 163 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 150 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche TestedPart ID Package Type Marking PackingVSP

 9.1. Size:779K  cn vanguard
vsp007n07ms.pdfpdf_icon

VSP002N03MS-G

VSP007N07MS 80V/65A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: PMN40ENE | AM20N20-125D | DMP21D0UFB4-P | TMAN20N60 | 1D5N60 | IRF5NJ6215 | HM75N75

 

 
Back to Top

 


 
.