Справочник MOSFET. VSP003N04MST-G

 

VSP003N04MST-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP003N04MST-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 232 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 855 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0023 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для VSP003N04MST-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP003N04MST-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:935K  cn vgsemi
vsp003n04mst-g.pdfpdf_icon

VSP003N04MST-G

VSP003N04MST-G40V/150A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 1.8 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 2.6 m Very low on-resistanceI D(Silicon Limited) 232 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 150 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marki

 3.1. Size:1013K  cn vgsemi
vsp003n04ms-g.pdfpdf_icon

VSP003N04MST-G

VSP003N04MS-G40V/110A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 2.3 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 3.4 m Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 VI D 110 A VitoMOS TechnologyPDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVSP003N04MS-G PDFN5x6 003N04M 30

 5.1. Size:1099K  cn vgsemi
vsp003n04hs-g.pdfpdf_icon

VSP003N04MST-G

VSP003N04HS-G40V/33A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 2.6 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 78 A Very low on-resistanceI D(Package Limited) 33 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVSP003N04HS-G PDFN5x6 003N04H 3000pcs/ReelMaximum ratings, at T

 9.1. Size:779K  cn vanguard
vsp007n07ms.pdfpdf_icon

VSP003N04MST-G

VSP007N07MS 80V/65A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

Другие MOSFET... VSE044C03MD , VSE2R5N03MS , VSO007N04MS-G , VSP002N03MS , VSP002N03MS-G , VSP002N03MST-G , VSP003N04HS-G , VSP003N04MS-G , 2N7002 , VSP005N03MS , VSP007N04MS-G , VSP008C03MD , VSP040C04MD , VSP0R8N04HS-G , VSP1R1N04HS-G , VSP1R4N04HS-G , JCS740VC .

History: NVMFS5C682NL | TPB70R950C | CS10N60A8HD | AP9435GP-HF | FDP8N50NZU | RS1G120MN | NTMFS4939NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.