Справочник MOSFET. VSP007N04MS-G

 

VSP007N04MS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VSP007N04MS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 64 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 465 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VSP007N04MS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  cn vgsemi
vsp007n04ms-g.pdfpdf_icon

VSP007N04MS-G

VSP007N04MS-G40V/80A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 3.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 5.1 m Very Low on-resistance RDS(on)I D 80 A VitoMOS TechnologyPDFN5x6 100% Avalanche testTape and reelPart ID Package Type MarkinginformationVSP007N04MS-G PDFN5x6 007N04M 3000PCS/ReelMaximum ratings, at

 6.1. Size:779K  cn vanguard
vsp007n07ms.pdfpdf_icon

VSP007N04MS-G

VSP007N07MS 80V/65A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 80 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m Enhancement mode I D 65 A Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Part I

 8.1. Size:327K  cn vanguard
vsp007p06ms.pdfpdf_icon

VSP007N04MS-G

VSP007P06MS -60V/-80A P-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS -60 VR DS(on),TYP@ VGS=-10 V 8.0 m P-Channel-5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=-4.5V 10.0 m Very low on-resistance RDS(on) @ VGS=-4.5 V I D -80 A Fast Switching Enhancement mode PDFN5x6 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Ty

 9.1. Size:715K  cn vanguard
vsp008n10msc.pdfpdf_icon

VSP007N04MS-G

VSP008N10MSC 100V/85A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 100 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.2 m N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 7.7 m Enhancement mode I D 85 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V VitoMOS Technology PDFN5x6 100% Avalanche test Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel Pa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.