ME1302AT3-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME1302AT3-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME1302AT3-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 21 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.132 Ohm
   Тип корпуса: SOT323
 

 Аналог (замена) для ME1302AT3-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME1302AT3-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  matsuki electric
 me1302at3 me1302at3-g.pdf pdf_icon

ME1302AT3-G

ME1302AT3/ME1302AT3-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1302AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 132 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)= 144 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 185 m @VGS=2.5V minimize on

 9.1. Size:1098K  matsuki electric
 me1303at3 me1303at3-g.pdf pdf_icon

ME1302AT3-G

ME1303AT3/ME1303AT3-G P-Channel Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1303AT3 is the P-Channel logic enhancement mode power -20V/-3.4A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS -20V/-2.4A,RDS(ON)=120m@VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to -20V/-1.7A,RDS(ON)=180

Другие MOSFET... JCS740CC , JCS740FC , FTP11N08A , JY09M , ME100N03T , ME100N03T-G , ME120N04T , ME1302AT3 , IRFB4110 , ME1303AT3 , ME1303AT3-G , ME13N10A , ME13N10A-G , ME15N25 , ME15N25F , ME15N25F-G , ME15N25-G .

History: 8N65KL-TF2-T | CSBF30 | 2SK3035 | CSE230 | 8N65KL-TF3T-T | WFF4N60 | SM6A07NSFP

 

 
Back to Top

 


 
.