Справочник MOSFET. ME1302AT3-G

 

ME1302AT3-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME1302AT3-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.3 nC
   Время нарастания (tr): 41.9 ns
   Выходная емкость (Cd): 21 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.132 Ohm
   Тип корпуса: SOT323

 Аналог (замена) для ME1302AT3-G

 

 

ME1302AT3-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1272K  matsuki electric
 me1302at3 me1302at3-g.pdf

ME1302AT3-G ME1302AT3-G

ME1302AT3/ME1302AT3-G N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1302AT3 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)= 132 m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)= 144 m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON)= 185 m @VGS=2.5V minimize on

 9.1. Size:1098K  matsuki electric
 me1303at3 me1303at3-g.pdf

ME1302AT3-G ME1302AT3-G

ME1303AT3/ME1303AT3-G P-Channel Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME1303AT3 is the P-Channel logic enhancement mode power -20V/-3.4A,RDS(ON)=95m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS -20V/-2.4A,RDS(ON)=120m@VGS=-2.5V trench technology. This high density process is especially tailored to -20V/-1.7A,RDS(ON)=180

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top