Справочник MOSFET. ME2345AS-G

 

ME2345AS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2345AS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ME2345AS-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2345AS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345AS-G

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m@VGS=-2.5V minimize on-s

 7.1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345AS-G

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m@VGS=-2.5Vminimize on-state res

Другие MOSFET... ME2320D2-G , ME2320DS , ME2320DS-G , ME2324D , ME2324D-G , ME2325S , ME2325S-G , ME2345AS , IRF2807 , ME2355AN , ME2355AN-G , ME25N15AL , ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G .

History: APT10050B2VFR | NCEP029N10 | HSM4805 | IRF7700 | WMO053NV8HGS | SFF9140-28 | 2SK1496

 

 
Back to Top

 


 
.