ME3205H-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME3205H-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 334 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для ME3205H-G
ME3205H-G Datasheet (PDF)
me3205h-g.pdf

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia
me3205f me3205f-g.pdf

ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6m@VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
me3205t me3205t-g.pdf

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10VThe ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density proce
Другие MOSFET... ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , STP65NF06 , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G .
History: SM1A08NSV | APT30M17JLL | SFQ230N100 | PV5G3EA | SSF70R1K2S2E | WMN07N80M3 | FQD8P10TM-F085
History: SM1A08NSV | APT30M17JLL | SFQ230N100 | PV5G3EA | SSF70R1K2S2E | WMN07N80M3 | FQD8P10TM-F085



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor