ME3205H-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME3205H-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 334 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 319 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для ME3205H-G
ME3205H-G Datasheet (PDF)
me3205h-g.pdf

ME3205H-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10V The ME3205H-G is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process is especia
me3205f me3205f-g.pdf

ME3205F/ME3205F-G N-Channel 60V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6m@VGS=10V The ME3205F is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON) effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density pro
me3205t me3205t-g.pdf

ME3205T/ME3205T-G N-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.5m@VGS=10VThe ME3205T is the N-Channel logic enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC currenttechnology. This high density proce
Другие MOSFET... ME25N15AL-G , ME2606 , ME2606-G , ME2614 , ME2614-G , ME2620-G , ME3205F , ME3205F-G , STP65NF06 , ME3424D , ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G .
History: STD12NF06L-1 | NDP610BE | IPI50R250CP | VN67AD | STP3481 | J202
History: STD12NF06L-1 | NDP610BE | IPI50R250CP | VN67AD | STP3481 | J202



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sc1400 replacement | 2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor