ME3424D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME3424D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12 nC
Время нарастания (tr): 13 ns
Выходная емкость (Cd): 68 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: TSOP6
ME3424D Datasheet (PDF)
me3424d me3424d-g.pdf
ME3424D/ME3424D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)28m@VGS=10V The ME3424D is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)42m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ESD Protected trench technology. This high density process is especially tailored to Super high
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .