Справочник MOSFET. ME3483

 

ME3483 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME3483
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.7 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.4 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 23 nC
   Время нарастания (tr): 8 ns
   Выходная емкость (Cd): 106 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT26

 Аналог (замена) для ME3483

 

 

ME3483 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me3483 me3483-g.pdf

ME3483 ME3483

ME3483/ME3483-G P-Channel 60V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3483 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)80m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top