Справочник MOSFET. ME3920D-G

 

ME3920D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME3920D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для ME3920D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3920D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1121K  matsuki electric
 me3920d me3920d-g.pdf pdf_icon

ME3920D-G

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)30m@VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON)45m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 8.1. Size:1025K  matsuki electric
 me3920-g.pdf pdf_icon

ME3920D-G

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON)24m@ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)46m@VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

Другие MOSFET... ME3424D-G , ME3443 , ME3443-G , ME3449D , ME3449D-G , ME3483 , ME3483-G , ME3920D , HY1906P , ME3920-G , ME4425 , ME4425-G , ME4457 , ME4457-G , ME4468 , ME4468-G , ME4470 .

History: IRF8313 | ME4457-G | HFP8N70U | RD3P130SP | UTD436 | IRL3103PBF

 

 
Back to Top

 


 
.