ME3920D-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME3920D-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TSOP6

Аналог (замена) для ME3920D-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME3920D-G даташит

 ..1. Size:1121K  matsuki electric
 me3920d me3920d-g.pdf pdf_icon

ME3920D-G

ME3920D/ME3920D-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET , ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME3920D-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 30m @VGS=10V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 45m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

 8.1. Size:1025K  matsuki electric
 me3920-g.pdf pdf_icon

ME3920D-G

ME3920-G Dual N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES FEATURES RDS(ON) 24m @ VGS =10V The ME3920-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 46m @VGS=4.5V power field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tail

Другие IGBT... ME3424D-G, ME3443, ME3443-G, ME3449D, ME3449D-G, ME3483, ME3483-G, ME3920D, AOD4184A, ME3920-G, ME4425, ME4425-G, ME4457, ME4457-G, ME4468, ME4468-G, ME4470