Справочник MOSFET. ME4457

 

ME4457 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4457
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для ME4457

 

 

ME4457 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1234K  matsuki electric
 me4457 me4457-g.pdf

ME4457 ME4457

ME4457/ME4457-G P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4457 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)45m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)68m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:1242K  matsuki electric
 me4454 me4454-g.pdf

ME4457 ME4457

ME4454/ME4454-G N-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4454 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)13m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)18m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(O

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top