ME4832. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4832

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 71.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4832

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4832 даташит

 ..1. Size:987K  matsuki electric
 me4832 me4832-g.pdf pdf_icon

ME4832

ME4832/ME4832-G N-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.5 m @VGS=10V The ME4832-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 7.2m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие IGBT... ME4457-G, ME4468, ME4468-G, ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, 50N06, ME4832-G, ME4856, ME4856-G, ME4894, ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G