ME4856-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4856-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для ME4856-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4856-G даташит

 ..1. Size:1001K  matsuki electric
 me4856 me4856-g.pdf pdf_icon

ME4856-G

ME4856/ME4856-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 6m @VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 8.5m @VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON) m

Другие IGBT... ME4470, ME4470-G, ME4473-G, ME4485, ME4485-G, ME4832, ME4832-G, ME4856, IRF640, ME4894, ME4894-G, ME4906-G, ME4920, ME4920-G, ME4947, ME4947-G, ME4970A