Справочник MOSFET. ME4856-G

 

ME4856-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME4856-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для ME4856-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4856-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1001K  matsuki electric
 me4856 me4856-g.pdf pdf_icon

ME4856-G

ME4856/ME4856-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4856 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)6m@VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)8.5m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

Другие MOSFET... ME4470 , ME4470-G , ME4473-G , ME4485 , ME4485-G , ME4832 , ME4832-G , ME4856 , IRFP460 , ME4894 , ME4894-G , ME4906-G , ME4920 , ME4920-G , ME4947 , ME4947-G , ME4970A .

History: SI4830CDY | NDT110N03 | ME80N08AH | FIR20N60FG | UT2305 | HSBA6115 | MTE50N15J3

 

 
Back to Top

 


 
.