ME4970A-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME4970A-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.3 nC
Время нарастания (tr): 16.4 ns
Выходная емкость (Cd): 272 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.014 Ohm
Тип корпуса: SOP8
ME4970A-G Datasheet (PDF)
me4970a me4970a-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME4970A /ME4970A-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970A-G is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=10V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)20m@VGS=4.5V DMOS trench technology. This high density process is especially Super high density cell design for extremely low RD
me4970 me4970g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely
me4970 me4970-g.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME4970/ME4970-G Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4970 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely
me4970.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
ME4970www.VBsemi.twDual N-Channel 30 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFETPower MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) 100 % Rg Tested0.016 at VGS = 10 V 8.5 100 % UIS Tested30 7.1 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.020 at VGS = 4.5 V 7.6APPLICATIONS Notebook System Power Low Current DC/DCD 1 D 2 SO-8 S D
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
![ME4970A-G](https://alltransistors.com/images/us.png)
![ME4970A-G](https://alltransistors.com/images/es.png)
![ME4970A-G](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C