Справочник MOSFET. ME6874-G

 

ME6874-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME6874-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6

 Аналог (замена) для ME6874-G

 

 

ME6874-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  matsuki electric
 me6874 me6874-g.pdf

ME6874-G ME6874-G

ME6874/ME6874-G Dual N-Channel 20-V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=4.5V The ME6874 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power 20V/5.2A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high dens

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top