Справочник MOSFET. ME6874-G

 

ME6874-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME6874-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.14 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для ME6874-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6874-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  matsuki electric
 me6874 me6874-g.pdf pdf_icon

ME6874-G

ME6874/ME6874-G Dual N-Channel 20-V (G-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 20V/6.0A,RDS(ON)=25m@VGS=4.5V The ME6874 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power 20V/5.2A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high dens

Другие MOSFET... ME60N03S , ME60N03S-G , ME60N04 , ME60N04-G , ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 , AO3400 , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G .

 

 
Back to Top

 


 
.