ME70N10T-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME70N10T-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для ME70N10T-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME70N10T-G даташит

 ..1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 17m @VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

 9.1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N03S/ME70N03S-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 6.6m @VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 11m @VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

Другие IGBT... ME6600D-G, ME6606D-G, ME6612D-G, ME6874, ME6874-G, ME70N03S, ME70N03S-G, ME70N10T, SPP20N60C3, ME7232, ME7232-G, ME7232S, ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G, ME7356-G, ME7362