Справочник MOSFET. ME70N10T-G

 

ME70N10T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME70N10T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME70N10T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

 9.1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFSL4410 | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | WSP4984 | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.