Справочник MOSFET. ME70N10T-G

 

ME70N10T-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME70N10T-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 78.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 77 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 438 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для ME70N10T-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME70N10T-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1081K  matsuki electric
 me70n10t me70n10t-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N10T / ME70N10T-G N- Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)17m@VGS=10V The ME70N10T is the N-Channel logic enhancement mode power Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This high de

 9.1. Size:1428K  matsuki electric
 me70n03s me70n03s-g.pdf pdf_icon

ME70N10T-G

ME70N03S/ME70N03S-G30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.6m@VGS=10V The ME70N03S is the N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)11m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, Super high density cell design for extremely low RDS(ON) DMOS trench technology. This high density process is

Другие MOSFET... ME6600D-G , ME6606D-G , ME6612D-G , ME6874 , ME6874-G , ME70N03S , ME70N03S-G , ME70N10T , AON7410 , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , ME7362 .

History: BLS65R041F-W | PHP79NQ08LT | SI1413EDH | SGSP577 | LSD65R180GT | CM9N20 | IXFH21N50Q

 

 
Back to Top

 


 
.