ME7362 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ME7362
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
Аналог (замена) для ME7362
ME7362 Datasheet (PDF)
me7362 me7362-g.pdf
ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)
Другие MOSFET... ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , IRFB3607 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 .
History: JMTI080N02A | JMSL1509PG
History: JMTI080N02A | JMSL1509PG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM40P75D | AGM40P75A | AGM40P65E | AGM40P65AP | AGM40P55D | AGM40P55AP | AGM40P55A | AGM40P35D | AGM40P35AP | AGM40P35A-KU | AGM40P35A | AGM40P30D | AGM40P30AP | AGM40P30A | AGM60P20R | AGM60P20D
Popular searches
irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934


