Справочник MOSFET. ME7362

 

ME7362 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7362
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1051 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7362

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7362 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:997K  matsuki electric
 me7362 me7362-g.pdf pdf_icon

ME7362

ME7362/ME7362-G N-Channel 30V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7362 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)2 m@VGS=10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON)3 m@VGS=4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

Другие MOSFET... ME70N10T-G , ME7232 , ME7232-G , ME7232S , ME7232S-G , ME7306-G , ME7345-G , ME7356-G , AON7506 , ME7362-G , ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 .

History: BRCS30P10IP | RJK6013DPP-E0 | HGN055N12SL | APT8024B2LLG | FQB27P06TM | PJA3402 | CEP04N7G

 

 
Back to Top

 


 
.