Справочник MOSFET. ME75N03

 

ME75N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME75N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 71 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 56 nC
   Время нарастания (tr): 17 ns
   Выходная емкость (Cd): 393 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0052 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME75N03

 

 

ME75N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1156K  matsuki electric
 me75n03 me75n03-g.pdf

ME75N03 ME75N03

ME75N03/ME75N03-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)5.2m@VGS=10V The ME75N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)8m@VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espe

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top