ME75N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME75N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 71 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для ME75N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME75N03 даташит

 ..1. Size:1156K  matsuki electric
 me75n03 me75n03-g.pdf pdf_icon

ME75N03

ME75N03/ME75N03-G 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 5.2m @VGS=10V The ME75N03 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 8m @VGS=4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espe

Другие IGBT... ME7232S-G, ME7306-G, ME7345-G, ME7356-G, ME7362, ME7362-G, ME7423S-G, ME7442D-G, NCEP15T14, ME75N03-G, ME7607, ME7607-G, ME7620, ME7620-G, ME7632, ME7632-G, ME7632S