ME7632 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME7632
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 113 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 58.3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 583 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00185 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
Аналог (замена) для ME7632
ME7632 Datasheet (PDF)
me7632 me7632-g.pdf

Preliminary-ME7632/ME7632-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME7632 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f
me7632s me7632s-g.pdf

ME7632S/ME7632S-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7632S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre
me7636 me7636-g.pdf

ME7636/ME7636-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.5m@VGS=10V The ME7636 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.3m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is esp
Другие MOSFET... ME7423S-G , ME7442D-G , ME75N03 , ME75N03-G , ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , 18N50 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G , ME7636 , ME7636-G , ME7640 , ME7640-G , ME7642 .
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60
History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sa750 | tip117 | 2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706