Справочник MOSFET. ME7632S

 

ME7632S MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7632S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 113 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 81.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 58.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 583 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00185 Ohm
   Тип корпуса: DFN3.3X3.3

 Аналог (замена) для ME7632S

 

 

ME7632S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:870K  matsuki electric
 me7632s me7632s-g.pdf

ME7632S ME7632S

ME7632S/ME7632S-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7632S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

 8.1. Size:1603K  matsuki electric
 me7632 me7632-g.pdf

ME7632S ME7632S

Preliminary-ME7632/ME7632-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME7632 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f

 9.1. Size:988K  matsuki electric
 me7636 me7636-g.pdf

ME7632S ME7632S

ME7636/ME7636-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.5m@VGS=10V The ME7636 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.3m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is esp

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: MM20N050P

 

 
Back to Top