ME7636 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ME7636
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
Тип корпуса: POWERDFN5X6
Аналог (замена) для ME7636
ME7636 Datasheet (PDF)
me7636 me7636-g.pdf

ME7636/ME7636-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.5m@VGS=10V The ME7636 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.3m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is esp
me7632s me7632s-g.pdf

ME7632S/ME7632S-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7632S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre
me7632 me7632-g.pdf

Preliminary-ME7632/ME7632-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME7632 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f
Другие MOSFET... ME7607 , ME7607-G , ME7620 , ME7620-G , ME7632 , ME7632-G , ME7632S , ME7632S-G , 5N65 , ME7636-G , ME7640 , ME7640-G , ME7642 , ME7642-G , ME7644 , ME7644-G , ME7648 .
History: HGP046NE6AL | OSG65R070PT3F | PB606BA | SI7617DN | ME4972-G | TPCP8204 | P4506BD
History: HGP046NE6AL | OSG65R070PT3F | PB606BA | SI7617DN | ME4972-G | TPCP8204 | P4506BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747