Справочник MOSFET. ME7636

 

ME7636 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7636
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 58 nC
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6

 Аналог (замена) для ME7636

 

 

ME7636 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:988K  matsuki electric
me7636 me7636-g.pdf

ME7636
ME7636

ME7636/ME7636-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)2.5m@VGS=10V The ME7636 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)3.3m@VGS=4.5V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is esp

 9.1. Size:870K  matsuki electric
me7632s me7632s-g.pdf

ME7636
ME7636

ME7632S/ME7632S-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7632S is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

 9.2. Size:1603K  matsuki electric
me7632 me7632-g.pdf

ME7636
ME7636

Preliminary-ME7632/ME7632-G N-Channel 30V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTIONFEATURES The ME7632 is the N-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 1.85 m @VGS=10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 3.6 m@VGS=4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design f

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MEM610

 

 
Back to Top