ME7686-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME7686-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: POWERDFN5X6

Аналог (замена) для ME7686-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7686-G даташит

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me7686 me7686-g.pdf pdf_icon

ME7686-G

ME7686/ME7686-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7686-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 10.5m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 18m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

Другие IGBT... ME7642-G, ME7644, ME7644-G, ME7648, ME7648-G, ME7648S, ME7648S-G, ME7686, 8N60, ME7705, ME7705-G, ME7707, ME7707-G, ME7732-G, ME7802S-G, ME7805S, ME7805S-G