Справочник MOSFET. ME7686-G

 

ME7686-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7686-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 128 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7686-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1271K  matsuki electric
 me7686 me7686-g.pdf pdf_icon

ME7686-G

ME7686/ME7686-G N-Channel 30V(D-S) Enhancement MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7686-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)10.5m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)18m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extre

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: STP21NM60N | KMB060N60FA | ME78241S-G | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.