ME7705-G - аналоги и даташиты транзистора

 

ME7705-G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME7705-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 

 Аналог (замена) для ME7705-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7705-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:933K  matsuki electric
 me7705 me7705-g.pdf pdf_icon

ME7705-G

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 9.1. Size:936K  matsuki electric
 me7707 me7707-g.pdf pdf_icon

ME7705-G

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

Другие MOSFET... ME7644-G , ME7648 , ME7648-G , ME7648S , ME7648S-G , ME7686 , ME7686-G , ME7705 , K2611 , ME7707 , ME7707-G , ME7732-G , ME7802S-G , ME7805S , ME7805S-G , ME7807S , ME7807S-G .

History: TDM3466 | UD9926

 

 
Back to Top

 


 
.