Справочник MOSFET. ME7705-G

 

ME7705-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7705-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6

 Аналог (замена) для ME7705-G

 

 

ME7705-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:933K  matsuki electric
 me7705 me7705-g.pdf

ME7705-G ME7705-G

ME7705/ME7705-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7705 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 7m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 12m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely lo

 9.1. Size:936K  matsuki electric
 me7707 me7707-g.pdf

ME7705-G ME7705-G

ME7707/ME7707-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7707 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 15m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 29.5m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top