Справочник MOSFET. ME7820S-G

 

ME7820S-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7820S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7820S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:878K  matsuki electric
 me7820s-g.pdf pdf_icon

ME7820S-G

ME7820S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7820S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)5.5m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

 9.1. Size:1167K  matsuki electric
 me78241s-g.pdf pdf_icon

ME7820S-G

ME78241S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78241S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.2m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ME7805S-G | BUK9M120-100E | IRLI620A | AP9916J | SSF2300B | IPLK60R1K0PFD7 | ME2309-G

 

 
Back to Top

 


 
.