Справочник MOSFET. ME7820S-G

 

ME7820S-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME7820S-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 96 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 53 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 358 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3

 Аналог (замена) для ME7820S-G

 

 

ME7820S-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:878K  matsuki electric
 me7820s-g.pdf

ME7820S-G ME7820S-G

ME7820S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7820S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3.5m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)5.5m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

 9.1. Size:1167K  matsuki electric
 me78241s-g.pdf

ME7820S-G ME7820S-G

ME78241S-G N-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME78241S-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)3m@VGS=10Vfield effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON)4.2m@VGS=4.5Vtrench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(ON)m

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top