Справочник MOSFET. ME7910D-G

 

ME7910D-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME7910D-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70.7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 275 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3
 

 Аналог (замена) для ME7910D-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME7910D-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:884K  matsuki electric
 me7910d me7910d-g.pdf pdf_icon

ME7910D-G

ME7910D/ME7910D-G Dual N-Channel 20-V(D-S) MOSFET , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME7910D is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON)14m@VGS=4.5V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON)15m@VGS=4V DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)17.5m@VGS=3.1V tailored

Другие MOSFET... ME78241S-G , ME7845S , ME7845S-G , ME7890ED , ME7890ED-G , ME7900EN , ME7900EN-G , ME7910D , 5N50 , ME8029 , ME8029-G , ME80N08AF , ME80N08AF-G , ME80N08AH , ME80N08AH-G , ME8117 , ME8117-G .

History: 2SK2513 | CEM3258 | HUFA75333P3 | DMP6110SSD | PSMN5R8-30LL | HGT022N12S

 

 
Back to Top

 


 
.