Справочник MOSFET. MEE4294HP-G

 

MEE4294HP-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE4294HP-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для MEE4294HP-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4294HP-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:541K  matsuki electric
 mee4294hp-g.pdf pdf_icon

MEE4294HP-G

MEE4294HP-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)10m@VGS=10VThe MEE4294HP-G is a N-Channel enhancement mode power field Super high density cell design for extremely low RDS(ON)effect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate Exceptional on-resistance and maximum DC current(ETG) technology. This advanced technology is esp

 6.1. Size:1111K  matsuki electric
 mee4294ht.pdf pdf_icon

MEE4294HP-G

MEE4294HT N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294HT is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)12m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON)technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance and

 7.1. Size:954K  matsuki electric
 mee4294k mee4294k-g.pdf pdf_icon

MEE4294HP-G

MEE4294K/MEE4294K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely

 7.2. Size:931K  matsuki electric
 mee4294k2 mee4294k2-g.pdf pdf_icon

MEE4294HP-G

MEE4294K2/MEE4294K2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extreme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE3718T , MEE4292-G , MEE4292HP-G , MEE4292HT , MEE4292K-G , MEE4292P-G , MEE4292T , MEE42942-G , 2N7000 , MEE4294HT , MEE4294K , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 .

History: WMB053NV8HGS | MTE1K8N25KM3

 

 
Back to Top

 


 
.