MEE4294K2 - описание и поиск аналогов

 

MEE4294K2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE4294K2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для MEE4294K2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4294K2 даташит

 ..1. Size:931K  matsuki electric
 mee4294k2 mee4294k2-g.pdf pdf_icon

MEE4294K2

MEE4294K2/MEE4294K2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extreme

 6.1. Size:954K  matsuki electric
 mee4294k mee4294k-g.pdf pdf_icon

MEE4294K2

MEE4294K/MEE4294K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely

 7.1. Size:1518K  matsuki electric
 mee4294-g.pdf pdf_icon

MEE4294K2

MEE4294-G N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 10.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 7.2. Size:1044K  matsuki electric
 mee4294t2.pdf pdf_icon

MEE4294K2

MEE4294T2 N-Channel 100V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294T2 is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 11.5m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON) 16.5m @VGS=4.5V technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE4292HT , MEE4292K-G , MEE4292P-G , MEE4292T , MEE42942-G , MEE4294HP-G , MEE4294HT , MEE4294K , 2N7002 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , MEE4294P-G , MEE4294T2 , MEE4298-G , MEE4298HT , MEE4298K-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.