Справочник MOSFET. MEE4294P-G

 

MEE4294P-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE4294P-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 28 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для MEE4294P-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE4294P-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:930K  matsuki electric
 mee4294p-g.pdf pdf_icon

MEE4294P-G

MEE4294P-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294P-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(O

 6.1. Size:905K  matsuki electric
 mee4294p2-g.pdf pdf_icon

MEE4294P-G

MEE4294P2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294P2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS

 7.1. Size:954K  matsuki electric
 mee4294k mee4294k-g.pdf pdf_icon

MEE4294P-G

MEE4294K/MEE4294K-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely

 7.2. Size:931K  matsuki electric
 mee4294k2 mee4294k2-g.pdf pdf_icon

MEE4294P-G

MEE4294K2/MEE4294K2-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE4294K2-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extreme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE42942-G , MEE4294HP-G , MEE4294HT , MEE4294K , MEE4294K2 , MEE4294K2-G , MEE4294K-G , MEE4294P2-G , AO3400 , MEE4294T2 , MEE4298-G , MEE4298HT , MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , MEE72962-G .

History: IPI100N12S3-05 | WST2333A | SM1A54NHF | WST2319 | HM4430 | OSG65R380FEF | CEU3301

 

 
Back to Top

 


 
.