Справочник MOSFET. MEE72962-G

 

MEE72962-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEE72962-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 47 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 49.2 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 69.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 868 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: POWERDFN5X6
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE72962-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:874K  matsuki electric
 mee72962-g.pdf pdf_icon

MEE72962-G

MEE72962-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE72962-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(O

 7.1. Size:896K  matsuki electric
 mee7296-g.pdf pdf_icon

MEE72962-G

MEE7296-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7296-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)10.5m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16.5m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)

 8.1. Size:885K  matsuki electric
 mee7298-g.pdf pdf_icon

MEE72962-G

Preliminary-MEE7298-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7298-G is a N-Channel enhancement mode power field RDS(ON)=5.85m(typ.)@VGS=10Veffect transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate RDS(ON)=7.95m(typ.)@VGS=4.5V(ETG) technology. This advanced technology is especially tailored Super high density cell design for extremely low

 8.2. Size:905K  matsuki electric
 mee7292-g.pdf pdf_icon

MEE72962-G

MEE7292-G N-Channel 100V(D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE7292-G is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON)11m@VGS=10Vtransistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) RDS(ON)16m@VGS=4.5Vtechnology. This advanced technology is especially tailored to minimize Super high density cell design for extremely low RDS(ON)on

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MEE4294P-G , MEE4294T2 , MEE4298-G , MEE4298HT , MEE4298K-G , MEE4298T , MEE6240T , MEE7292-G , RFP50N06 , MEE7296-G , MEE7298-G , MEE7630-G , MEE7636-G , MEE7816AS-G , MEE7816S-G , 2SK815 , MDD2601 .

 

 
Back to Top

 


 
.