Справочник MOSFET. HCD65R2K2

 

HCD65R2K2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HCD65R2K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2.5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 18 ns
   Выходная емкость (Cd): 7.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для HCD65R2K2

 

 

HCD65R2K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  semihow
hcd65r2k2.pdf

HCD65R2K2 HCD65R2K2

June 2020HCD65R2K2650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.2 100% Avalanche TestedQg, Typ 6.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SMP

 6.1. Size:413K  semihow
hcd65r2k7.pdf

HCD65R2K2 HCD65R2K2

April 2020HCD65R2K7650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.7 100% Avalanche TestedQg, Typ 4.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SM

 8.1. Size:437K  semihow
hcd65r450.pdf

HCD65R2K2 HCD65R2K2

Sep 2020HCD65R450650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:436K  semihow
hcd65r830.pdf

HCD65R2K2 HCD65R2K2

July 2020HCD65R830650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.83 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swi

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top