Справочник MOSFET. HCD65R2K2

 

HCD65R2K2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCD65R2K2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 7.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для HCD65R2K2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCD65R2K2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:425K  semihow
hcd65r2k2.pdfpdf_icon

HCD65R2K2

June 2020HCD65R2K2650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.2 100% Avalanche TestedQg, Typ 6.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SMP

 6.1. Size:413K  semihow
hcd65r2k7.pdfpdf_icon

HCD65R2K2

April 2020HCD65R2K7650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 2.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 2.7 100% Avalanche TestedQg, Typ 4.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch Mode Power Supply (SM

 8.1. Size:437K  semihow
hcd65r450.pdfpdf_icon

HCD65R2K2

Sep 2020HCD65R450650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Switch

 8.2. Size:436K  semihow
hcd65r830.pdfpdf_icon

HCD65R2K2

July 2020HCD65R830650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.83 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitD-PAK SYMBOL Swi

Другие MOSFET... HCA70R180 , HCA90R300 , HCA90R450 , HCA90R800 , HCD60R260 , HCD60R490 , HCD60R750 , HCD60R900 , IRF2807 , HCD65R2K7 , HCD65R450 , HCD65R830 , HCD70R910 , HCD80R1K2 , HCD80R1K4 , HCD90R1K0 , HCD90R1K6 .

History: SI4966DY | IRF823FI | SKI03021 | STB9NK90Z | IRFS130 | FTD04N60A | STP85NF55L

 

 
Back to Top

 


 
.