Справочник MOSFET. HCFL60R115

 

HCFL60R115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL60R115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.127 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для HCFL60R115

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL60R115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R115600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 26.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 6.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 6.2. Size:433K  semihow
 hcfl60r190.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R190600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 17.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.1. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 13.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCD90R1K6 , HCD90R450 , HCD90R800 , HCF65R320 , HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , 8N60 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 .

History: IPP80N03S4L-04 | STP95N3LLH6 | CS2N65A3HY | APT1003RKLL

 

 
Back to Top

 


 
.