Справочник MOSFET. HCFL60R115

 

HCFL60R115 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL60R115
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 62 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.127 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL60R115 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R115600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 26.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 6.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 6.2. Size:433K  semihow
 hcfl60r190.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R190600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 17.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.1. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R115

May 2020HCFL60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 13.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RU20N65P

 

 
Back to Top

 


 
.