HCFL60R350 - описание и поиск аналогов

 

HCFL60R350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCFL60R350

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для HCFL60R350

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL60R350 даташит

 ..1. Size:433K  semihow
 hcfl60r350.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020 HCFL60R350 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 11.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.385 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 22.6 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020 HCFL60R150 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 21.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw

 7.2. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020 HCFL60R115 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 26.9 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 65 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Swi

 7.3. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020 HCFL60R290 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 13.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , RU7088R , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 .

History: ME95N03-G | AP01L60T-H-HF | SWD076R68E7T | SUB75N06-08 | AP01L60H-HF | SWD070R08E7T | HU30N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.