Справочник MOSFET. HCFL60R350

 

HCFL60R350 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL60R350
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.385 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для HCFL60R350

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL60R350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:433K  semihow
 hcfl60r350.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020HCFL60R350600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 11.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.385 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 22.6 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl60r150.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020HCFL60R150600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 21.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 7.2. Size:434K  semihow
 hcfl60r115.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020HCFL60R115600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 26.9 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 127 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.3. Size:413K  semihow
 hcfl60r290.pdf pdf_icon

HCFL60R350

May 2020HCFL60R290600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 13.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCF65R550 , HCF70R360 , HCF70R600 , HCF70R910 , HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , MMD60R360PRH , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 .

History: TPC8024-H | NTHL040N65S3HF | TPC8030

 

 
Back to Top

 


 
.