Справочник MOSFET. HCFL65R550

 

HCFL65R550 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL65R550
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.6 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для HCFL65R550

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL65R550 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:432K  semihow
 hcfl65r550.pdf pdf_icon

HCFL65R550

July 2020HCFL65R550650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 7.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swit

 7.1. Size:434K  semihow
 hcfl65r130.pdf pdf_icon

HCFL65R550

May 2020HCFL65R130650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 25.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 143 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 65 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.2. Size:433K  semihow
 hcfl65r210.pdf pdf_icon

HCFL65R550

May 2020HCFL65R210650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 17.1 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.23 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swi

 7.3. Size:433K  semihow
 hcfl65r380.pdf pdf_icon

HCFL65R550

May 2020HCFL65R380650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 10.6 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 22.6 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL S

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCFL60R115 , HCFL60R150 , HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , AO4468 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 .

History: KP746G1 | RFD8P06E

 

 
Back to Top

 


 
.