HCFL70R360 - описание и поиск аналогов

 

HCFL70R360. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCFL70R360

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.396 Ohm

Тип корпуса: DFN8X8

Аналог (замена) для HCFL70R360

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL70R360 даташит

 ..1. Size:413K  semihow
 hcfl70r360.pdf pdf_icon

HCFL70R360

May 2020 HCFL70R360 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 11.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.396 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl70r180.pdf pdf_icon

HCFL70R360

May 2020 HCFL70R180 700V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching loss ID 19.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.198 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit DFN8x8 SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , AO4468 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 .

History: JMSH0602AGQ | APT5014SFLLG | NCE60R360F | SGM3055 | RTR025N05FRA | IRF7326D2PBF | S2N7002K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.