Справочник MOSFET. HCFL70R360

 

HCFL70R360 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL70R360
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.396 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для HCFL70R360

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL70R360 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:413K  semihow
 hcfl70r360.pdf pdf_icon

HCFL70R360

May 2020HCFL70R360700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 11.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.396 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 27 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

 7.1. Size:433K  semihow
 hcfl70r180.pdf pdf_icon

HCFL70R360

May 2020HCFL70R180700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 19.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.198 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Sw

Другие MOSFET... HCFL60R190 , HCFL60R290 , HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , IRFP064N , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 .

 

 
Back to Top

 


 
.