HCFL80R380 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HCFL80R380
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
Тип корпуса: DFN8X8
Аналог (замена) для HCFL80R380
HCFL80R380 Datasheet (PDF)
hcfl80r380.pdf

June 2021HCFL80R380800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 13 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swit
hcfl80r250.pdf

June 2021HCFL80R250_Green800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 18 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.275 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 43 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL
Другие MOSFET... HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , IRFZ44N , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 .
History: SI7113DN | IRL510PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
tip35 datasheet | tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606