Справочник MOSFET. HCFL80R380

 

HCFL80R380 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCFL80R380
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm
   Тип корпуса: DFN8X8
 

 Аналог (замена) для HCFL80R380

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCFL80R380 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  semihow
 hcfl80r380.pdf pdf_icon

HCFL80R380

June 2021HCFL80R380800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 13 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.42 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 29 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL Swit

 7.1. Size:485K  semihow
 hcfl80r250.pdf pdf_icon

HCFL80R380

June 2021HCFL80R250_Green800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 18 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.275 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 43 nCApplicationPackage & Internal CircuitDFN8x8 SYMBOL

Другие MOSFET... HCFL60R350 , HCFL65R130 , HCFL65R210 , HCFL65R380 , HCFL65R550 , HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , IRFZ44N , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 .

History: SSM3K361R | RFD8P06E

 

 
Back to Top

 


 
.