Справочник MOSFET. HCP60R099

 

HCP60R099 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCP60R099
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HCP60R099

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP60R099 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:358K  semihow
 hcp60r099.pdf pdf_icon

HCP60R099

Dec 2019HCP60R099600V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching lossID 30.7 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 75 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220 SYMBOL Switc

Другие MOSFET... HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , IRF540 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 , HCP65R320 , HCP90R300 , HCP90R450 , HCP90R800 .

History: 2SK2828 | WMB190N15HG4 | IXFB72N55Q2 | APT10M11B2VFRG | CHM7400SGP | AOD4104 | FIR20N50FG

 

 
Back to Top

 


 
.