HCP60R099 - описание и поиск аналогов

 

HCP60R099. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCP60R099

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 205 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HCP60R099

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP60R099 даташит

 ..1. Size:358K  semihow
 hcp60r099.pdf pdf_icon

HCP60R099

Dec 2019 HCP60R099 600V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 650 V Extremely low switching loss ID 30.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 99 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Switc

Другие MOSFET... HCFL70R180 , HCFL70R360 , HCFL80R250 , HCFL80R380 , HCI60R150 , HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , IRF540N , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 , HCP65R320 , HCP90R300 , HCP90R450 , HCP90R800 .

History: SGM2305A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.