HCP65R320 - описание и поиск аналогов

 

HCP65R320. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HCP65R320

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 106 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 28 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для HCP65R320

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCP65R320 даташит

 ..1. Size:390K  semihow
 hcp65r320.pdf pdf_icon

HCP65R320

June 2021 HCP65R320 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 12.3 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.32 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 27 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi

 8.1. Size:358K  semihow
 hcp65r165.pdf pdf_icon

HCP65R320

Dec 2019 HCP65R165 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 20.4 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 50 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi

 8.2. Size:358K  semihow
 hcp65r110.pdf pdf_icon

HCP65R320

Dec 2019 HCP65R110 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 29.1 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 110 m 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 75 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit

 8.3. Size:631K  semihow
 hcp65r210.pdf pdf_icon

HCP65R320

Nov 2020 HCP65R210 650V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching loss ID 16.8 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 40 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCI70R230 , HCI70R360 , HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 , IRF640 , HCP90R300 , HCP90R450 , HCP90R800 , HCS60R099 , HCS60R099ST , HCS60R150ST , HCS60R260S , HCS60R260ST .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.