HCP90R450. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: HCP90R450
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.7 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 22.1 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для HCP90R450
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
HCP90R450 даташит
hcp90r450.pdf
Jun. 2023 HCP90R450 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 10.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 29 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi
hcp90r300.pdf
Jun. 2023 HCP90R300 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 14.5 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.3 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 43 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swit
hcp90r800.pdf
Jun. 2023 HCP90R800 900V N-Channel Super Junction MOSFET Features Key Parameters Parameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg) BVDSS @Tj,max 950 V Extremely low switching loss ID 6.7 A Excellent stability and uniformity RDS(on), max 0.8 100% Avalanche Tested Built-in ESD Diode Qg, Typ 17.4 nC Application Package & Internal Circuit TO-220 SYMBOL Swi
Другие MOSFET... HCI70R600 , HCP60R099 , HCP65R110 , HCP65R130 , HCP65R165 , HCP65R210 , HCP65R320 , HCP90R300 , IRLZ44N , HCP90R800 , HCS60R099 , HCS60R099ST , HCS60R150ST , HCS60R260S , HCS60R260ST , HCS60R900S , HCS65R165ST .
History: ME9435A | BL2302 | IAUS200N08S5N023 | HU830U | ASDM30N65E | IAUC80N04S6N036 | APT1001RBLC
History: ME9435A | BL2302 | IAUS200N08S5N023 | HU830U | ASDM30N65E | IAUC80N04S6N036 | APT1001RBLC
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet | hrf3205 | c2837 datasheet



