Справочник MOSFET. HCS65R210ST

 

HCS65R210ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS65R210ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 39 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HCS65R210ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS65R210ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  semihow
 hcs65r210st.pdf pdf_icon

HCS65R210ST

June 2019HCS65R210ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 16.8 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.21 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.1. Size:421K  semihow
 hcs65r450st.pdf pdf_icon

HCS65R210ST

Sep 2020HCS65R450ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 9.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.45 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 20 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S

 8.2. Size:425K  semihow
 hcs65r830st.pdf pdf_icon

HCS65R210ST

Jan. 2021HCS65R830ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 5.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.83 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.3. Size:372K  semihow
 hcs65r165st.pdf pdf_icon

HCS65R210ST

Dec 2019HCS65R165ST650V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 700 V Extremely low switching lossID 20.4 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.165 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCP90R800 , HCS60R099 , HCS60R099ST , HCS60R150ST , HCS60R260S , HCS60R260ST , HCS60R900S , HCS65R165ST , IRFP250N , HCS65R450S , HCS65R450ST , HCS65R830ST , HCS70R180S , HCS70R230S , HCS70R600ST , HCS70R710ST , HCS70R910ST .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.