Справочник MOSFET. HCS70R180S

 

HCS70R180S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS70R180S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220FS
 

 Аналог (замена) для HCS70R180S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS70R180S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:370K  semihow
 hcs70r180s.pdf pdf_icon

HCS70R180S

Dec 2019HCS70R180S700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 19.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

 8.1. Size:421K  semihow
 hcs70r910st.pdf pdf_icon

HCS70R180S

March 2020HCS70R910ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.2. Size:423K  semihow
 hcs70r600st.pdf pdf_icon

HCS70R180S

Sep 2020HCS70R600ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL Sw

 8.3. Size:368K  semihow
 hcs70r230s.pdf pdf_icon

HCS70R180S

June 2019HCS70R230S700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 16.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.23 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCS60R260S , HCS60R260ST , HCS60R900S , HCS65R165ST , HCS65R210ST , HCS65R450S , HCS65R450ST , HCS65R830ST , STP75NF75 , HCS70R230S , HCS70R600ST , HCS70R710ST , HCS70R910ST , HCS80R1K2S , HCS80R1K2ST , HCS80R1K4S , HCS80R1K4ST .

History: STW11NK100Z | HGB070N15S | APT1001RBVFR | STU442S | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.