Справочник MOSFET. HCS70R910ST

 

HCS70R910ST Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HCS70R910ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.91 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HCS70R910ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS70R910ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  semihow
 hcs70r910st.pdf pdf_icon

HCS70R910ST

March 2020HCS70R910ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 5.2 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.91 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 11.2 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 8.1. Size:423K  semihow
 hcs70r600st.pdf pdf_icon

HCS70R910ST

Sep 2020HCS70R600ST700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 7.3 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.6 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 16 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL Sw

 8.2. Size:370K  semihow
 hcs70r180s.pdf pdf_icon

HCS70R910ST

Dec 2019HCS70R180S700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 19.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.18 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 50 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

 8.3. Size:368K  semihow
 hcs70r230s.pdf pdf_icon

HCS70R910ST

June 2019HCS70R230S700V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 750 V Extremely low switching lossID 16.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 0.23 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 40 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCS65R210ST , HCS65R450S , HCS65R450ST , HCS65R830ST , HCS70R180S , HCS70R230S , HCS70R600ST , HCS70R710ST , 2N7000 , HCS80R1K2S , HCS80R1K2ST , HCS80R1K4S , HCS80R1K4ST , HCS90R1K0S , HCS90R1K6S , HCS90R300S , HCS90R450S .

History: AOB15S60 | APT50M85B2VFRG | IRF7862PBF | SUD19P06-60 | SVF14N65CFJ | VBZL45N03 | VS3618AH

 

 
Back to Top

 


 
.