HCS80R1K2ST - аналоги и даташиты транзистора

 

HCS80R1K2ST - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HCS80R1K2ST
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220FT
 

 Аналог (замена) для HCS80R1K2ST

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HCS80R1K2ST Datasheet (PDF)

 ..1. Size:399K  semihow
 hcs80r1k2st.pdf pdf_icon

HCS80R1K2ST

Sep 2020HCS80R1K2ST800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL

 4.1. Size:397K  semihow
 hcs80r1k2s.pdf pdf_icon

HCS80R1K2ST

Sep 2020HCS80R1K2S800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.5 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.2 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 10.3 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL S

 6.1. Size:399K  semihow
 hcs80r1k4st.pdf pdf_icon

HCS80R1K2ST

Sep 2020HCS80R1K4ST800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FT SYMBOL S

 6.2. Size:398K  semihow
 hcs80r1k4s.pdf pdf_icon

HCS80R1K2ST

Sep 2020HCS80R1K4S800V N-Channel Super Junction MOSFETFeatures Key ParametersParameter Value Unit Very Low FOM (RDS(on) X Qg)BVDSS @Tj,max 850 V Extremely low switching lossID 4.0 A Excellent stability and uniformityRDS(on), max 1.4 100% Avalanche Tested Built-in ESD DiodeQg, Typ 9.1 nCApplicationPackage & Internal CircuitTO-220FS SYMBOL Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... HCS65R450ST , HCS65R830ST , HCS70R180S , HCS70R230S , HCS70R600ST , HCS70R710ST , HCS70R910ST , HCS80R1K2S , STP75NF75 , HCS80R1K4S , HCS80R1K4ST , HCS90R1K0S , HCS90R1K6S , HCS90R300S , HCS90R450S , HCS90R800S , HCT70R1K1 .

History: OSG65R900GTF

 

 
Back to Top

 


 
.